化學機械平面化（CMP）是用于制造半導體工業晶圓的拋光工藝。由于運輸/處理問題，干燥以及漿料分配系統內的相互作用，工具中的漿料被輸送到晶圓表面可能含有大顆粒/附聚物（>1μ）。這些大顆粒可以在半導體晶片表面上形成缺陷（劃痕）。

降低由顆粒引起缺陷的解決方案之一是使用漿液過濾。目前有兩種漿料過濾的優選方法：1）循環或再循環過濾和2）使用（POU）過濾。循環或再循環過濾試圖從漿液中除去大顆粒，因為漿液通過將漿液輸送到工具的分配回路循環。對于這些應用，通常使用0.5至5微米的過濾器，建議1至3 GPM的流量。

POU過濾在漿料分配到拋光墊上的點處或附近捕獲大的顆粒。POU應用的流速不應超過0.5至2.5 GPM。由于能夠在低流速下使用亞微米過濾器，因此POU過濾優于環路過濾，這往往會減少過早堵塞過濾器的發生并允許<1.0μm顆粒的潛在過濾。POU漿料過濾已被證明有利于減少CMP工藝中的晶圓缺陷并提高產量。

傳統上，POU過濾和循環過濾都使用了非折疊濾芯。這些圓柱形深層濾芯可能會在效率，污物容量（使用壽命），流速和壓降方面出現局限性。相反，單層褶皺過濾器提供更好的性能，但是濾芯使用壽命比較短。

XZC建議將XL 系列過濾器作為CMP漿液過濾的較好選擇。這些混合式打褶/深層過濾器結合了深層過濾器的較好特性（能夠去除由于分級孔隙結構，穩定的介質配置而產生的一系列粒徑）以及褶式過濾器的優點（高表面積可改善流速，降低壓降和更長的在線時間） 

CMP漿液過濾的目的：

漿料應含有可控顆粒尺寸范圍內的磨料組分，以獲得用于光刻的非常平滑和正常的晶圓表面去除微粒和附聚物，同時留下磨料組分

客戶目標：減少劃痕，提高產量